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  • HermeSEAL JSIR 350-4红外辐射源 红外光源
    HermeSEAL JSIR 350-4红外辐射源 红外光源

    HermeSEAL JSIR 350-4红外辐射源 红外光源:高性能红外辐射源,采用高性能纳米非晶碳膜片。该膜片能够实现高达850°C的温度,提供高且长期稳定的辐射输出。JSIR 350红外红外辐射源在HermeSEAL®选项中是一种高性能红外辐射源,特别适用于医学、工业和航空航天领域中要求苛刻的气体分析应用。

    更新时间:2024-09-26访问次数:1150
  • JSIR 350-4 红外辐射源 红外光源
    JSIR 350-4 红外辐射源 红外光源

    JSIR 350-4 红外辐射源 红外光源:高性能红外辐射源,采用高性能纳米非晶碳膜片。该膜片能够实现高达850°C的温度,提供高且长期稳定的辐射输出。JSIR 350红外红外辐射源非常适合用于医学、工业以及其他高要求应用领域的各种气体分析应用。

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  • 基于颁-惭翱厂滨的红外辐射源,罢翱46型
    基于颁-惭翱厂滨的红外辐射源,罢翱46型

    基于颁-惭翱厂滨的红外辐射源,罢翱46型:JSIR340-4型经济实惠的红外辐射源专为NDIR气体分析和其他红外测量应用而优化,如直接红外光谱法、衰减全反射光谱法或光声光谱法。基于CMOS的红外辐射源的膜片可达到高达800°C的温度。它能够为工业应用提供长期稳定的辐射输出,用于在环境温度为-20至85°C之间控制和监测过程气体。

    更新时间:2024-09-25访问次数:1028
  • 基于颁-惭翱厂滨的红外辐射源,罢翱39封装
    基于颁-惭翱厂滨的红外辐射源,罢翱39封装

    基于颁-惭翱厂滨的红外辐射源,罢翱39封装:JSIR340-4型经济实惠的红外辐射源专为NDIR气体分析和其他红外测量应用而优化,如直接红外光谱法、衰减全反射光谱法或光声光谱法。基于CMOS的红外辐射源的膜片可达到高达800°C的温度。它能够为工业应用提供长期稳定的辐射输出,用于在环境温度为-20至85°C之间控制和监测过程气体及相关气体。带有标准TO封装和盖子的包装版本适合测量距离长达2厘米。

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  • 基于颁-惭翱厂滨的红外辐射源,厂惭顿封装
    基于颁-惭翱厂滨的红外辐射源,厂惭顿封装

    基于颁-惭翱厂滨的红外辐射源,厂惭顿封装,硅ARC窗口:适用于NDIR气体分析和其他红外测量应用的经济型红外辐射源。该发射器仅需250毫瓦输入功率,也适合于移动和手持设备。这款基于CMOS的红外辐射源的膜片能够达到高达800°C的温度,具有长期稳定的辐射功率和短的时间常数。对于高容量应用,如楼宇空调、自动化等,JSIR340因其出色的性价比而非常适合。

    更新时间:2024-09-25访问次数:1064
  • 四通道JSIR 350-4红外辐射源,TO8封装
    四通道JSIR 350-4红外辐射源,TO8封装

    四通道JSIR 350-4红外辐射源,TO8封装,带反射器,开放式:高性能红外发射器,采用TO8封装,包含4个芯片,用于测量极低浓度或吸收特性较弱的气体。标准TO8封装版本带有反射器但无窗口,也适用于从30厘米开始的长距离测量。这种基于MEMS的发射器与灯丝发射器相比,它具有显著更长的使用寿命和更少的漂移。

    更新时间:2024-09-25访问次数:952
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